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使用电子导电性橡胶时，由于导电性填充剂添加量的变化都会引发电阻剧烈变化，所以存在电阻值很难控制的问题。而且，由于橡胶中的导电性填充剂难以均匀分散，所以辊筒的圆周方向和宽度方向上的电阻值不均匀。
对橡胶组合物进行硫化处理的方法包括使用加压装置和硫化处理槽的间歇式或连续式硫化法。用间歇式硫化法进行硫化处理制造辊筒时，由于端部和中央部分会产生压力和热传递差，所以电阻值不均匀。
镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。21世纪展现良好发展前景的纳米技术，贵金属由于它们的独特优异的物理化学性能，资源的稀缺性以及在已知的传统产业领域的不断扩大应用和在未知领域的不断开拓探索，成为纳米技术早和相当重要的研究对象之一。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏效应。
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。
精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。所述择点测量机构包括一安装在机座上的第二驱动电机、一对安装在所述第二驱动电机上的第二传动轴、一安装在机座上并与所述第二传动轴平行的滑轨及若干安装在滑轨上的测点探针。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。
制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。